창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPH1110FNH,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPH1110FNH | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 112m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 300µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 57W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPH1110FNH,L1Q(M TPH1110FNH,L1QTR TPH1110FNH,L1QTR-ND TPH1110FNHL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPH1110FNH,L1Q | |
관련 링크 | TPH1110F, TPH1110FNH,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
CFSH2-3L TR | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD882 | CFSH2-3L TR.pdf | ||
TIBPALT19R6CFN | TIBPALT19R6CFN TI PLCC-28 | TIBPALT19R6CFN.pdf | ||
P623F01 | P623F01 TYCO SMD or Through Hole | P623F01.pdf | ||
UMK105TJ8R2JW | UMK105TJ8R2JW TAIYO SMD | UMK105TJ8R2JW.pdf | ||
LC1210CB3TR30 | LC1210CB3TR30 Leadchip SOT23-3 | LC1210CB3TR30.pdf | ||
2SA1213/NY | 2SA1213/NY CHANGHAO SMD or Through Hole | 2SA1213/NY.pdf | ||
CEP6355 | CEP6355 CET TO-220 | CEP6355.pdf | ||
DTA114EKA T146 SOT23-24 | DTA114EKA T146 SOT23-24 ROHM SOT-23 | DTA114EKA T146 SOT23-24.pdf | ||
MTX252A | MTX252A GUERTE SMD or Through Hole | MTX252A.pdf | ||
DP8420AV-20 | DP8420AV-20 NSC PLCC | DP8420AV-20.pdf | ||
SMR7,5823K63K01L4BULK | SMR7,5823K63K01L4BULK RIFA SMD or Through Hole | SMR7,5823K63K01L4BULK.pdf |