창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPCC8065-H,LQ(S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPCC8065-H Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.4m옴 @ 6.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 18W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | TPCC8065-HLQ(S TPCC8065HLQS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPCC8065-H,LQ(S | |
관련 링크 | TPCC8065-, TPCC8065-H,LQ(S 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | RT0603WRD073K6L | RES SMD 3.6KOHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRD073K6L.pdf | |
![]() | RCP1206B1K60GEB | RES SMD 1.6K OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B1K60GEB.pdf | |
![]() | TMP87CM48DFG-3KR4 | TMP87CM48DFG-3KR4 TOSHIBA QFP | TMP87CM48DFG-3KR4.pdf | |
![]() | FP11SPA1B1TP01 | FP11SPA1B1TP01 C&KComponents MINIPBSWITCHRAW | FP11SPA1B1TP01.pdf | |
![]() | MAS3506D-QC-G11 | MAS3506D-QC-G11 MICRONAS TQFP-44 | MAS3506D-QC-G11.pdf | |
![]() | S7912PI | S7912PI AUK SMD or Through Hole | S7912PI.pdf | |
![]() | RD20E-TB | RD20E-TB NEC 2500PCSREEL | RD20E-TB.pdf | |
![]() | 2200PF K(CL10B222KB8BNNNC 50V) | 2200PF K(CL10B222KB8BNNNC 50V) SAMSUNG SMD or Through Hole | 2200PF K(CL10B222KB8BNNNC 50V).pdf | |
![]() | CES2302-N | CES2302-N CET SMD or Through Hole | CES2302-N.pdf | |
![]() | CXP83413-146 | CXP83413-146 SONY SQFP80 | CXP83413-146.pdf | |
![]() | SN65HCD3082EP | SN65HCD3082EP TI DIP | SN65HCD3082EP.pdf |