창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPC8134,LQ(S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPC8134 Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 52m옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 890pF @ 10V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | TPC8134LQ(S TPC8134LQS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPC8134,LQ(S | |
관련 링크 | TPC8134, TPC8134,LQ(S 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | OF682JE | RES 6.8K OHM 1/2W 5% AXIAL | OF682JE.pdf | |
![]() | MAX211CAI-TG068 | MAX211CAI-TG068 MAXIM SSOP | MAX211CAI-TG068.pdf | |
![]() | HFR080ST29NS1 | HFR080ST29NS1 T&B SMD or Through Hole | HFR080ST29NS1.pdf | |
![]() | TDE4453A. | TDE4453A. Siemens DIP14 | TDE4453A..pdf | |
![]() | BD9210 | BD9210 ROHM DIPSOP | BD9210.pdf | |
![]() | R3114N091C-TR-FE | R3114N091C-TR-FE RICOH SOT23-5 | R3114N091C-TR-FE.pdf | |
![]() | 220UF/200V470 18*35 | 220UF/200V470 18*35 Cheng SMD or Through Hole | 220UF/200V470 18*35.pdf | |
![]() | KS5381ANI | KS5381ANI N/A DIP | KS5381ANI.pdf | |
![]() | TPS40007DGQ TEL:82766440 | TPS40007DGQ TEL:82766440 TI MSOP10 | TPS40007DGQ TEL:82766440.pdf | |
![]() | CCU2560 | CCU2560 ITT PLCC68 | CCU2560.pdf | |
![]() | V30 Z6-A292 GS 2010 BT | V30 Z6-A292 GS 2010 BT SIE QFP-100 | V30 Z6-A292 GS 2010 BT.pdf |