창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPC8133,LQ(S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPC8133 Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 500µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 10V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | TPC8133LQ(S TPC8133LQS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPC8133,LQ(S | |
관련 링크 | TPC8133, TPC8133,LQ(S 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
EN 01ZW | DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL | EN 01ZW.pdf | ||
CBM-120-UV-C14-J400-21 | Ultraviolet (UV) Emitter 400nm 3.6V 18A Module | CBM-120-UV-C14-J400-21.pdf | ||
RC1206DR-0751KL | RES SMD 51K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RC1206DR-0751KL.pdf | ||
P51-50-S-U-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-50-S-U-I12-4.5V-000-000.pdf | ||
PI74FCT162827CTA | PI74FCT162827CTA PERICOMSEMICONDUCTORCORP SMD or Through Hole | PI74FCT162827CTA.pdf | ||
UDP82847N7-001-H6 | UDP82847N7-001-H6 RICOH BGA | UDP82847N7-001-H6.pdf | ||
TA6392FP | TA6392FP TOSHIBA SOP28 | TA6392FP.pdf | ||
MN1020819JABS | MN1020819JABS Panasoni QFP | MN1020819JABS.pdf | ||
AP01N60H | AP01N60H ORIGINAL TO-252 | AP01N60H .pdf | ||
M58LT256KSB8ZA6E | M58LT256KSB8ZA6E NUMONYX SMD or Through Hole | M58LT256KSB8ZA6E.pdf | ||
GM60028H-BD | GM60028H-BD GENESIS QFP | GM60028H-BD.pdf | ||
I-5700 | I-5700 HARRIS CDIP | I-5700.pdf |