창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TPC8125,LQ(S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TPC8125 Mosfets Prod Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 500µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2580pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | TPC8125LQ(S TPC8125LQS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TPC8125,LQ(S | |
| 관련 링크 | TPC8125, TPC8125,LQ(S 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 06035J3R3BAWTR | 3.3pF Thin Film Capacitor 50V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06035J3R3BAWTR.pdf | |
![]() | RT0603CRC0725R5L | RES SMD 25.5OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRC0725R5L.pdf | |
![]() | CFR50J12K | RES 12.0K OHM 1/2W 5% AXIAL | CFR50J12K.pdf | |
![]() | TA8680 | TA8680 TOSHIBA DIP54 | TA8680.pdf | |
![]() | AT45DSPO081D-SU | AT45DSPO081D-SU ATMEL PSOP | AT45DSPO081D-SU.pdf | |
![]() | HSMRG-D670 | HSMRG-D670 ORIGINAL SOD323 | HSMRG-D670.pdf | |
![]() | SIMM1615-TP30 | SIMM1615-TP30 ORIGINAL SMD or Through Hole | SIMM1615-TP30.pdf | |
![]() | 221-00741 | 221-00741 ORIGINAL QFP | 221-00741.pdf | |
![]() | HA2-2976-5 | HA2-2976-5 ORIGINAL SMD or Through Hole | HA2-2976-5.pdf | |
![]() | IL-146 | IL-146 INF/SIE DIP6 | IL-146.pdf | |
![]() | 28F320C3T09D | 28F320C3T09D Intel BGA | 28F320C3T09D.pdf | |
![]() | BDMV12120BC | BDMV12120BC ORIGINAL SMD or Through Hole | BDMV12120BC.pdf |