창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPC8109(TE12L) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPC8109 Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2260pF @ 10V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP(5.5x6.0) | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | TPC8109CT TPC8109TE12L | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPC8109(TE12L) | |
관련 링크 | TPC8109(, TPC8109(TE12L) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 06035J8R2BBSTR | 8.2pF Thin Film Capacitor 50V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06035J8R2BBSTR.pdf | |
![]() | 0215010.MXF38P | FUSE CERAMIC 10A 250VAC 5X20MM | 0215010.MXF38P.pdf | |
![]() | SIT8208AI-82-33E-77.760000T | OSC XO 3.3V 77.76MHZ OE | SIT8208AI-82-33E-77.760000T.pdf | |
![]() | CMF651K1000FKR6 | RES 1.1K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF651K1000FKR6.pdf | |
![]() | F9003DC | F9003DC FSA CDIP | F9003DC.pdf | |
![]() | UPC1001H | UPC1001H NEC SMD or Through Hole | UPC1001H.pdf | |
![]() | 27C010* | 27C010* TI SMD or Through Hole | 27C010*.pdf | |
![]() | HN1B01FU-G | HN1B01FU-G TOSHIBA SOT-363 | HN1B01FU-G.pdf | |
![]() | 971724 | 971724 PMI CAN8 | 971724.pdf | |
![]() | 10115DG | 10115DG ON PLCC-20 | 10115DG.pdf | |
![]() | TLV5604IDG4 | TLV5604IDG4 TI SMD or Through Hole | TLV5604IDG4.pdf | |
![]() | XR16V2550IM | XR16V2550IM EXAR TQFP48 | XR16V2550IM.pdf |