창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPC8051-H(TE12L,Q) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPC8051-H Mosfets Prod Guide | |
카탈로그 페이지 | 1648 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.7m옴 @ 6.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 85nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7540pF @ 10V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP(5.5x6.0) | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | TPC8051-HTE12LQCT TPC8051HTE12LQ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPC8051-H(TE12L,Q) | |
관련 링크 | TPC8051-H(, TPC8051-H(TE12L,Q) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
U3C-E3/57T | DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AB | U3C-E3/57T.pdf | ||
MBB02070C3480DRP00 | RES 348 OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C3480DRP00.pdf | ||
3126Q | 3126Q IDT SSOP-16 | 3126Q.pdf | ||
S1FB-TR | S1FB-TR TSC DO214AA | S1FB-TR.pdf | ||
ST24FC216 | ST24FC216 ST SMD or Through Hole | ST24FC216.pdf | ||
194200010 | 194200010 ORIGINAL SMD or Through Hole | 194200010.pdf | ||
K100-6 | K100-6 HTC SOT-89 | K100-6.pdf | ||
ispLSL2064-125LJ | ispLSL2064-125LJ ORIGINAL PLCC84 | ispLSL2064-125LJ.pdf | ||
IPB80N04S4-03 | IPB80N04S4-03 INFINEON D2PAK | IPB80N04S4-03.pdf | ||
HCPL-261AV | HCPL-261AV AVAGO SMD or Through Hole | HCPL-261AV.pdf | ||
M6636BGS-K | M6636BGS-K OKI SOP-24 | M6636BGS-K.pdf |