Toshiba Semiconductor and Storage TPC8012-H(TE12L,Q)
- 제조업체 부품 번호
- TPC8012-H(TE12L,Q)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
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TPC8012-H(TE12L,Q) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TPC8012-H(TE12L,Q) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TPC8012-H Mosfets Prod Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | Digi-Reel® | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 900mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP(5.5x6.0) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | TPC8012-HDKR TPC8012-HDKR-ND TPC8012-HQDKR TPC8012HTE12LQ | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TPC8012-H(TE12L,Q) | |
| 관련 링크 | TPC8012-H(, TPC8012-H(TE12L,Q) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
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