창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPC6009-H(TE85L,FM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPC6009-H Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 81m옴 @ 2.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 10V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | VS-6(2.9x2.8) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | TPC6009-H(TE85LFM TPC6009HTE85LFM | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPC6009-H(TE85L,FM | |
관련 링크 | TPC6009-H(, TPC6009-H(TE85L,FM 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
RT0805BRD07196KL | RES SMD 196K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD07196KL.pdf | ||
RSF2JT1R50 | RES MO 2W 1.5 OHM 5% AXIAL | RSF2JT1R50.pdf | ||
CPW0512R00GB14 | RES 12 OHM 5W 2% AXIAL | CPW0512R00GB14.pdf | ||
SC432719VFU | SC432719VFU Freescale QFP64 | SC432719VFU.pdf | ||
CA3146M96 | CA3146M96 INTERSIL SMD or Through Hole | CA3146M96.pdf | ||
P89V51RC2FA/FN | P89V51RC2FA/FN NXP SMD or Through Hole | P89V51RC2FA/FN.pdf | ||
TCH01C | TCH01C TCH DICE | TCH01C.pdf | ||
CY28349BDCA | CY28349BDCA CYPRESS SSOP | CY28349BDCA.pdf | ||
C1206C102J1GAC-TU | C1206C102J1GAC-TU KEMET SMD | C1206C102J1GAC-TU.pdf | ||
74LCX112SJX | 74LCX112SJX FAIRCHILD SMD | 74LCX112SJX.pdf | ||
M68995-54 | M68995-54 ORIGINAL SMD or Through Hole | M68995-54.pdf | ||
R5431V303BA-TR-F | R5431V303BA-TR-F RICOH SSOP-16 | R5431V303BA-TR-F.pdf |