창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TP2640N3-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TP2640 | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15옴 @ 300mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TP2640N3-G | |
| 관련 링크 | TP2640, TP2640N3-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | BST50,115 | TRANS NPN DARL 45V 1A SOT89 | BST50,115.pdf | |
![]() | ERJ-S02F8451X | RES SMD 8.45K OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-S02F8451X.pdf | |
![]() | CF2JT470R | RES 470 OHM 2W 5% CARBON FILM | CF2JT470R.pdf | |
![]() | GAL22V10B-15CP | GAL22V10B-15CP LATTICE DIP | GAL22V10B-15CP.pdf | |
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![]() | SP-150-13.5 | SP-150-13.5 MW SMD or Through Hole | SP-150-13.5.pdf | |
![]() | APA2106PBC/Z | APA2106PBC/Z kingbright PB-FREE | APA2106PBC/Z.pdf | |
![]() | MTD6502B | MTD6502B Microchip SMD or Through Hole | MTD6502B.pdf | |
![]() | MSL-324G | MSL-324G unityo SMD | MSL-324G.pdf | |
![]() | G130K | G130K NEC SSOP8 | G130K.pdf |