창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TP2540N3-G-P002 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TP2540 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Addition 09/Mar/2015 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 86mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25옴 @ 100mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 125pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 740mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TP2540N3-G-P002 | |
| 관련 링크 | TP2540N3-, TP2540N3-G-P002 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | CDV30FH622GO3 | MICA | CDV30FH622GO3.pdf | |
![]() | RG3216V-1961-W-T1 | RES SMD 1.96KOHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216V-1961-W-T1.pdf | |
![]() | DO3316P-103KLD | DO3316P-103KLD COILCRAF 3316 | DO3316P-103KLD.pdf | |
![]() | KSE13009H1TU | KSE13009H1TU FSC/ TO-220 | KSE13009H1TU.pdf | |
![]() | L293DR | L293DR TI SOP | L293DR.pdf | |
![]() | TRAIT3KNNF-Y. | TRAIT3KNNF-Y. KENWOOD TO3P-5 | TRAIT3KNNF-Y..pdf | |
![]() | PFB460A | PFB460A MURATA SMD or Through Hole | PFB460A.pdf | |
![]() | ACB1608H-030-T | ACB1608H-030-T TDK SMD or Through Hole | ACB1608H-030-T.pdf | |
![]() | M1-7647R-5 | M1-7647R-5 HARRIS SMD or Through Hole | M1-7647R-5.pdf | |
![]() | TLE2027 | TLE2027 ORIGINAL DIP-8 | TLE2027.pdf | |
![]() | CY2292SC-423 | CY2292SC-423 ORIGINAL SOP16 | CY2292SC-423.pdf | |
![]() | HXJ2036/SJ2036 | HXJ2036/SJ2036 HXJ SOP-16 | HXJ2036/SJ2036.pdf |