창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TP2510N8-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TP2510 | |
PCN 설계/사양 | Die Attach Material Update 26/Aug/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Die Material/Assembly Site 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 480mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5옴 @ 750mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 125pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-243AA | |
공급 장치 패키지 | TO-243AA(SOT-89) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | TP2510N8-G-ND TP2510N8-GTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TP2510N8-G | |
관련 링크 | TP2510, TP2510N8-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
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![]() | DTC123JUA T106 | DTC123JUA T106 ROHM SMD or Through Hole | DTC123JUA T106.pdf | |
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![]() | TX31D12VM2AAA | TX31D12VM2AAA HITACHI SMD or Through Hole | TX31D12VM2AAA.pdf | |
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![]() | LGHK06031N0S-T 0201 | LGHK06031N0S-T 0201 TAIYOU SMD or Through Hole | LGHK06031N0S-T 0201.pdf |