창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TNPW2010267KBETF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TNPW e3 Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Vishay Dale | |
| 계열 | TNPW | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 267k | |
| 허용 오차 | ±0.1% | |
| 전력(와트) | 0.4W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | - | |
| 온도 계수 | ±25ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 패키지/케이스 | 2010(5025 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 2010 | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.030"(0.75mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | TNPW2010 267K 0.1% T9 R02 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TNPW2010267KBETF | |
| 관련 링크 | TNPW20102, TNPW2010267KBETF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1206A270KBRAT4X | 27pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A270KBRAT4X.pdf | |
| AM48070004 | 48MHz ±10ppm 수정 4.7pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD | AM48070004.pdf | ||
![]() | HK10053N9S-TV | 3.9nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 210 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | HK10053N9S-TV.pdf | |
![]() | NJM2164M | NJM2164M JRC SMD or Through Hole | NJM2164M.pdf | |
![]() | TEESVA21E105M8R | TEESVA21E105M8R NEC SMD or Through Hole | TEESVA21E105M8R.pdf | |
![]() | TMS470R1VF67ACGJZQ | TMS470R1VF67ACGJZQ TI BGA | TMS470R1VF67ACGJZQ.pdf | |
![]() | GPLB32A-202A-C | GPLB32A-202A-C GENERALPL SMD or Through Hole | GPLB32A-202A-C.pdf | |
![]() | MC100EP58DTG | MC100EP58DTG OnSemiconductor SMD or Through Hole | MC100EP58DTG.pdf | |
![]() | ME3215-333KLD | ME3215-333KLD COILCRAFT SMD | ME3215-333KLD.pdf | |
![]() | 449004.MR | 449004.MR LITTELFUSE SMD or Through Hole | 449004.MR.pdf | |
![]() | 2512 5% 5.1K | 2512 5% 5.1K SUPEROHM SMD or Through Hole | 2512 5% 5.1K.pdf | |
![]() | TPS799285DRVR | TPS799285DRVR TI QFN | TPS799285DRVR.pdf |