창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TNPW2010261KBETF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TNPW e3 Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Vishay Dale | |
| 계열 | TNPW | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 261k | |
| 허용 오차 | ±0.1% | |
| 전력(와트) | 0.4W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | - | |
| 온도 계수 | ±25ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 패키지/케이스 | 2010(5025 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 2010 | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.030"(0.75mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | TNPW2010 261K 0.1% T9 R02 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TNPW2010261KBETF | |
| 관련 링크 | TNPW20102, TNPW2010261KBETF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 403I35E25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403I35E25M00000.pdf | |
![]() | 160R-104JS | 100µH Unshielded Inductor 90mA 16 Ohm Max 2-SMD | 160R-104JS.pdf | |
![]() | PWR163S-25-R200F | RES SMD 0.2 OHM 1% 25W DPAK | PWR163S-25-R200F.pdf | |
![]() | TEK9935-50 | TEK9935-50 TEK DIP | TEK9935-50.pdf | |
![]() | TLP781(GRH) | TLP781(GRH) TOSHIBA DIP4 | TLP781(GRH).pdf | |
![]() | MB504LPF-G-BND-ER | MB504LPF-G-BND-ER FUJITSU SOP8 | MB504LPF-G-BND-ER.pdf | |
![]() | GA5007B-34 | GA5007B-34 GROSSFIELDLTD SMD or Through Hole | GA5007B-34.pdf | |
![]() | ASV-83.000MHZ-L-C-S-T | ASV-83.000MHZ-L-C-S-T ORIGINAL SMD | ASV-83.000MHZ-L-C-S-T.pdf | |
![]() | MMBZ5226-7 | MMBZ5226-7 ORIGINAL SMD or Through Hole | MMBZ5226-7.pdf | |
![]() | 74AS855 | 74AS855 TI DIP | 74AS855.pdf | |
![]() | HQ0805-18NJ-N | HQ0805-18NJ-N YAGEO SMD | HQ0805-18NJ-N.pdf | |
![]() | MS-156C(09) | MS-156C(09) HIROSE SMD or Through Hole | MS-156C(09).pdf |