창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TNPW20101K07BETF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TNPW e3 Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Vishay Dale | |
| 계열 | TNPW | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 1.07k | |
| 허용 오차 | ±0.1% | |
| 전력(와트) | 0.4W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | - | |
| 온도 계수 | ±25ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 패키지/케이스 | 2010(5025 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 2010 | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.030"(0.75mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | TNPW2010 1K07 0.1% T9 R02 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TNPW20101K07BETF | |
| 관련 링크 | TNPW20101, TNPW20101K07BETF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| FG20C0G2E333JNT06 | 0.033µF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.217" L x 0.157" W(5.50mm x 4.00mm) | FG20C0G2E333JNT06.pdf | ||
![]() | 1N6080 | DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL | 1N6080.pdf | |
![]() | BZX384C43-G3-08 | DIODE ZENER 43V 200MW SOD323 | BZX384C43-G3-08.pdf | |
![]() | AP5321GM | AP5321GM APEC/ SMD or Through Hole | AP5321GM.pdf | |
![]() | QMV913AH5/B | QMV913AH5/B NQRTEL SOP | QMV913AH5/B.pdf | |
![]() | 2N4458A | 2N4458A ST/MOTO CAN to-39 | 2N4458A.pdf | |
![]() | A66207.WYXOBI | A66207.WYXOBI TI PLCC | A66207.WYXOBI.pdf | |
![]() | MPY634KD | MPY634KD BB DIP | MPY634KD.pdf | |
![]() | LM211H/883B | LM211H/883B NS SMD or Through Hole | LM211H/883B.pdf | |
![]() | K6T0808C1D-RB55 | K6T0808C1D-RB55 SAMSUNG TSOP-28 | K6T0808C1D-RB55.pdf | |
![]() | PIC30F3013-20E/SP | PIC30F3013-20E/SP MICROCHIP DIP28 | PIC30F3013-20E/SP.pdf | |
![]() | E2E-CR6C1 | E2E-CR6C1 ORIGINAL SMD or Through Hole | E2E-CR6C1.pdf |