창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TNPW121063R4BEEA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TNPW e3 Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Vishay Dale | |
| 계열 | TNPW | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 63.4 | |
| 허용 오차 | ±0.1% | |
| 전력(와트) | 0.333W, 1/3W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | 반황화, 내습성 | |
| 온도 계수 | ±25ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 1210 | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.096" W(3.20mm x 2.45mm) | |
| 높이 | 0.030"(0.75mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | TNPW1210 63R4 0.1% T9 ET1 E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TNPW121063R4BEEA | |
| 관련 링크 | TNPW12106, TNPW121063R4BEEA 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GRM32RR71H105KA01L | 1µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | GRM32RR71H105KA01L.pdf | |
![]() | DA3S101J0L | DIODE ARRAY GP 80V 150MA SC89 | DA3S101J0L.pdf | |
| MBR2X100A120 | DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227 | MBR2X100A120.pdf | ||
![]() | PA4305.184NLT | 180µH Unshielded Wirewound Inductor 490mA 2.427 Ohm Max Nonstandard | PA4305.184NLT.pdf | |
![]() | RT0805DRE07412RL | RES SMD 412 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE07412RL.pdf | |
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![]() | A062517-040 | A062517-040 MARCO SMD or Through Hole | A062517-040.pdf | |
![]() | 10YXG10000M18X35.5 | 10YXG10000M18X35.5 RUBYCON SMD or Through Hole | 10YXG10000M18X35.5.pdf | |
![]() | STK082G | STK082G SANYO ZIP | STK082G.pdf | |
![]() | BAS40SW-7-F | BAS40SW-7-F DIODES SOD323 | BAS40SW-7-F.pdf | |
![]() | M306NNMG | M306NNMG RENESAS SMD or Through Hole | M306NNMG.pdf | |
![]() | JM38510/07105BEB | JM38510/07105BEB F CDIP-16 | JM38510/07105BEB.pdf |