- TNETDS5800GND200
- 제조업체 부품 번호
- TNETDS5800GND200
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 반도체 - 3
- 간단한 설명
- TNETDS5800GND200 TI BGA
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TNETDS5800GND200 가격 및 조달
가능 수량
92740 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TNETDS5800GND200 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. TNETDS5800GND200 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TNETDS5800GND200가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TNETDS5800GND200 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TNETDS5800GND200 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TNETDS5800GND200 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TNETDS5800GND200 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TNETDS5800GND200 | |
| 관련 링크 | TNETDS580, TNETDS5800GND200 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
TNETDS5800GND200 의 관련 제품
| TS041F33IDT | 4.194304MHz ±30ppm 수정 18pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS041F33IDT.pdf | |
| GL045F33IDT | 4.5MHz ±30ppm 수정 18pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL045F33IDT.pdf | |
| CPPC4-A3B6-22.1184TS | 22.1184MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 45mA Enable/Disable | CPPC4-A3B6-22.1184TS.pdf | |
 | UCR18EVHFSR012 | RES SMD 0.012 OHM 1% 1/2W 1206 | UCR18EVHFSR012.pdf | |
| RS06K2202FTL | RS06K2202FTL HF SMD or Through Hole | RS06K2202FTL.pdf | |
| HY29F800BT70 | HY29F800BT70 HYN TSOP1 | HY29F800BT70.pdf | |
| EMI103 | EMI103 ORIGINAL SMD or Through Hole | EMI103.pdf | |
| PN5910(TSTDTS) | PN5910(TSTDTS) ORIGINAL NA | PN5910(TSTDTS).pdf | |
| 83C690LJ-P | 83C690LJ-P SMC PLCC | 83C690LJ-P.pdf | |
| 660CPA | 660CPA CATALYST DIP8 | 660CPA.pdf | |
| HY5DU281622ALT-H | HY5DU281622ALT-H HYNIX TSOP66 | HY5DU281622ALT-H.pdf | |
| DTC114EUA T106 | DTC114EUA T106 ROHM SOT-323 | DTC114EUA T106.pdf |