창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TNETD3200GJC V | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TNETD3200GJC V | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TNETD3200GJC V | |
| 관련 링크 | TNETD320, TNETD3200GJC V 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | ABMM-25.000MHZ-B2-T | 25MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABMM-25.000MHZ-B2-T.pdf | |
![]() | SP1210R-563G | 56µH Shielded Wirewound Inductor 194mA 5.5 Ohm Max Nonstandard | SP1210R-563G.pdf | |
![]() | SMD1117-2.5CST | SMD1117-2.5CST SMD SOT223 | SMD1117-2.5CST.pdf | |
![]() | TA7624P | TA7624P TOSHIBA DIP16 | TA7624P.pdf | |
![]() | SI9165BG | SI9165BG SI TSSOP20 | SI9165BG.pdf | |
![]() | 4.7UF/6.3V/A | 4.7UF/6.3V/A ORIGINAL SMD or Through Hole | 4.7UF/6.3V/A.pdf | |
![]() | ELD-306SYGWA/S530-E2/S287 | ELD-306SYGWA/S530-E2/S287 ROHS SIP9 | ELD-306SYGWA/S530-E2/S287.pdf | |
![]() | FQAF11N40 | FQAF11N40 ORIGINAL 3PF | FQAF11N40.pdf | |
![]() | NRLM153M35V30x40F | NRLM153M35V30x40F NIC DIP | NRLM153M35V30x40F.pdf | |
![]() | RJ14-2.2K | RJ14-2.2K ORIGINAL SMD or Through Hole | RJ14-2.2K.pdf | |
![]() | MMBT3567 | MMBT3567 ON SOT-23 | MMBT3567.pdf |