창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TN5325K1-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TN5325 Datasheet | |
PCN 설계/사양 | Die Attach Material Update 22/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Supertex Devices 22/Jul/2014 Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Qualification Report Revision 29/Jan/2015 Fab Site Addition 14/Aug/2014 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 110pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 360mW | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-236AB(SOT23) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TN5325K1-G | |
관련 링크 | TN5325, TN5325K1-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
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![]() | LTE4302M-BC+ | LTE4302M-BC+ ORIGINAL SMD or Through Hole | LTE4302M-BC+.pdf | |
![]() | SAR2000.A/SUP2000.V.2.0 | SAR2000.A/SUP2000.V.2.0 ORIGINAL SMD28 | SAR2000.A/SUP2000.V.2.0.pdf | |
![]() | SI4435DYT1 | SI4435DYT1 Siliconix SMD or Through Hole | SI4435DYT1.pdf | |
![]() | JANM38510/05601BEA | JANM38510/05601BEA HAS DIP-16P | JANM38510/05601BEA.pdf | |
![]() | 134423 | 134423 ERNI SMD or Through Hole | 134423.pdf | |
![]() | ST1-DC24V-Z1/24VDC | ST1-DC24V-Z1/24VDC MATSUSHITA SMD or Through Hole | ST1-DC24V-Z1/24VDC.pdf | |
![]() | 1210-2.15R | 1210-2.15R ORIGINAL SMD or Through Hole | 1210-2.15R.pdf |