Microchip Technology TN2130K1-G

TN2130K1-G
제조업체 부품 번호
TN2130K1-G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 300V 0.085A SOT23-3
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TN2130K1-G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TN2130K1-G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TN21030
PCN 설계/사양Die Attach Material Update 22/Jun/2015
PCN 조립/원산지Qualification Supertex Devices 22/Jul/2014
Additional Fabrication Site 03/Sep/2014
Qualification Report Revision 29/Jan/2015
Fab Site Addition 14/Aug/2014
PCN 포장Label and Packing Changes 23/Sep/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Microchip Technology
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)300V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C85mA(Tj)
Rds On(최대) @ Id, Vgs25옴 @ 120mA, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds50pF @ 25V
전력 - 최대360mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지TO-236AB(SOT23)
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)TN2130K1-G
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