Microchip Technology TN0620N3-G-P002
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- 제조업체 부품 번호
- TN0620N3-G-P002
- 제조업 자
- Microchip Technology
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
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TN0620N3-G-P002 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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- ₩ 1,210.80950
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TN0620N3-G-P002 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TN0620N3-G-P002 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TN0620 | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 250mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.6V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TN0620N3-G-P002 | |
| 관련 링크 | TN0620N3-, TN0620N3-G-P002 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
TN0620N3-G-P002 의 관련 제품
 | UPC2500AH | UPC2500AH NEC HSIP12 | UPC2500AH.pdf | |
| M80C93JB | M80C93JB EPSON DIP | M80C93JB.pdf | |
| AAT3681AIJS-4.2-4-T1 | AAT3681AIJS-4.2-4-T1 AAN SMD or Through Hole | AAT3681AIJS-4.2-4-T1.pdf | |
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| X51163ZG | X51163ZG INTERSIL SOP8 | X51163ZG.pdf | |
| HC4538ADR2 | HC4538ADR2 Intersil TO-220 | HC4538ADR2.pdf | |
| NJG1501V | NJG1501V JRC MSOP8 | NJG1501V.pdf | |
| MCL2BHTTE047K | MCL2BHTTE047K KOA SMD | MCL2BHTTE047K.pdf | |
| DS26C29MJ | DS26C29MJ NS DIP | DS26C29MJ.pdf |