창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TN0604N3-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TN0604 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 700mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.6V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 190pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 740mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TN0604N3-G | |
관련 링크 | TN0604, TN0604N3-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
![]() | 416F50012ALR | 50MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50012ALR.pdf | |
![]() | RVC2512FT511R | RES SMD 511 OHM 1% 1W 2512 | RVC2512FT511R.pdf | |
![]() | MP35-08 | MP35-08 MIC/LT SMD or Through Hole | MP35-08.pdf | |
![]() | 2SB624/BV3 | 2SB624/BV3 NEC SOT-23 | 2SB624/BV3.pdf | |
![]() | HD7453P | HD7453P HIT DIP-14 | HD7453P.pdf | |
![]() | SITE QUAL | SITE QUAL ORIGINAL LCC | SITE QUAL.pdf | |
![]() | HOP-1000 | HOP-1000 HITACHI SMD or Through Hole | HOP-1000.pdf | |
![]() | 1300R-3.0VUATR | 1300R-3.0VUATR TELCOM SMD or Through Hole | 1300R-3.0VUATR.pdf | |
![]() | 503228.6363MHZ | 503228.6363MHZ ORIGINAL SMD or Through Hole | 503228.6363MHZ.pdf | |
![]() | MB89153APF-G-169 | MB89153APF-G-169 ORIGINAL SMD or Through Hole | MB89153APF-G-169.pdf | |
![]() | CK45-B3AD151KY | CK45-B3AD151KY TDK SMD or Through Hole | CK45-B3AD151KY.pdf |