Microchip Technology TN0110N3-G-P002
,TO-226_straightlead.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- TN0110N3-G-P002
- 제조업 자
- Microchip Technology
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TN0110N3-G-P002 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 889.57450
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TN0110N3-G-P002 재고가 있습니다. 우리는 Microchip Technology 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Microchip Technology 전자 부품 전문. TN0110N3-G-P002 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TN0110N3-G-P002가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TN0110N3-G-P002 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TN0110N3-G-P002 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TN0110N3-G-P002 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TN0110 | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 350mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 500µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 60pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TN0110N3-G-P002 | |
| 관련 링크 | TN0110N3-, TN0110N3-G-P002 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
TN0110N3-G-P002 의 관련 제품
 | LKX2E331MESY40 | 330µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 105°C | LKX2E331MESY40.pdf | |
-25.jpg) | C3225C0G2J682J200AA | 6800pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C3225C0G2J682J200AA.pdf | |
 | VS-85HFL10S05 | DIODE GEN PURP 100V 85A DO203AB | VS-85HFL10S05.pdf | |
 | ATCA-07-301M-V | 300µH Unshielded Toroidal Inductor 2A 142 mOhm Max Radial | ATCA-07-301M-V.pdf | |
 | SMT6822SWY6F | SMT6822SWY6F ST SOT-153 | SMT6822SWY6F.pdf | |
| M27C256B-15F6L | M27C256B-15F6L ST DIP | M27C256B-15F6L.pdf | |
| PM-04AD32 | PM-04AD32 ALPHA SMD or Through Hole | PM-04AD32.pdf | |
| T529N18TOC | T529N18TOC EUPEC SMD or Through Hole | T529N18TOC.pdf | |
| 2SJ360 TE12LF | 2SJ360 TE12LF TOSHIBA SOT89 | 2SJ360 TE12LF.pdf | |
| 0603 154K 10V | 0603 154K 10V WALSIN SMD | 0603 154K 10V.pdf | |
| A1010-B1.M2 | A1010-B1.M2 MEMORY SMD | A1010-B1.M2.pdf | |
| M38002M2-293FP | M38002M2-293FP ORIGINAL QFP | M38002M2-293FP.pdf |