창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TMSSN75365N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TMSSN75365N | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TMSSN75365N | |
| 관련 링크 | TMSSN7, TMSSN75365N 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385382100JF02W0 | 0.082µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.394" W (17.50mm x 10.00mm) | MKP385382100JF02W0.pdf | |
![]() | 416F27135CAR | 27.12MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27135CAR.pdf | |
![]() | ASEM1-29.4912MHZ-LC-T | 29.4912MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 10mA Standby (Power Down) | ASEM1-29.4912MHZ-LC-T.pdf | |
![]() | V216B1-LE1 | V216B1-LE1 CMO SMD or Through Hole | V216B1-LE1.pdf | |
![]() | CL21C680JBANNN | CL21C680JBANNN ORIGINAL SMD or Through Hole | CL21C680JBANNN.pdf | |
![]() | NC4D-JP-DC9V | NC4D-JP-DC9V ORIGINAL SMD or Through Hole | NC4D-JP-DC9V.pdf | |
![]() | C2022NL | C2022NL PULSE SMD or Through Hole | C2022NL.pdf | |
![]() | TPS831(A) | TPS831(A) TOS SMD or Through Hole | TPS831(A).pdf | |
![]() | DSPIC33FJ64MC506T-I/PT028 | DSPIC33FJ64MC506T-I/PT028 Microchi SMD or Through Hole | DSPIC33FJ64MC506T-I/PT028.pdf | |
![]() | SI2301(A1T) | SI2301(A1T) ORIGINAL SMD or Through Hole | SI2301(A1T).pdf | |
![]() | GRM33CJ2R4B25 | GRM33CJ2R4B25 MURATA SMD or Through Hole | GRM33CJ2R4B25.pdf | |
![]() | TLP521-4BL | TLP521-4BL TOSHIBA DIP | TLP521-4BL.pdf |