- TMPN3150B1AF.RE.D
- 제조업체 부품 번호
- TMPN3150B1AF.RE.D
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 반도체 - 3
- 간단한 설명
- TMPN3150B1AF.RE.D TOSHIBA QFP
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TMPN3150B1AF.RE.D 가격 및 조달
가능 수량
34360 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TMPN3150B1AF.RE.D 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. TMPN3150B1AF.RE.D 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TMPN3150B1AF.RE.D가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TMPN3150B1AF.RE.D 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TMPN3150B1AF.RE.D 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TMPN3150B1AF.RE.D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TMPN3150B1AF.RE.D | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | QFP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TMPN3150B1AF.RE.D | |
| 관련 링크 | TMPN3150B1, TMPN3150B1AF.RE.D 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
TMPN3150B1AF.RE.D 의 관련 제품
 | 445I32B13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 13pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32B13M00000.pdf | |
 | MBR2X060A080 | DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227 | MBR2X060A080.pdf | |
| IMC1008ER12NJ | 12nH Unshielded Wirewound Inductor 1A 80 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | IMC1008ER12NJ.pdf | |
| S0603-56NH1C | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 340 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-56NH1C.pdf | |
 | ALSR031K200JE12 | RES 1.2K OHM 3W 5% AXIAL | ALSR031K200JE12.pdf | |
| W3008-K | ANTENNA CHIP 2.4GHZ CER EVAL KIT | W3008-K.pdf | |
| BUK555-60AP | BUK555-60AP PH TO-262 | BUK555-60AP.pdf | |
| PEB24902H V1.1 | PEB24902H V1.1 SIEMEMS QFP | PEB24902H V1.1.pdf | |
| DS1073Z-100+ | DS1073Z-100+ ORIGINAL SOP8 | DS1073Z-100+.pdf | |
| B82503U0000E002 | B82503U0000E002 epcos SMD or Through Hole | B82503U0000E002.pdf | |
| TSLTTE10L0F | TSLTTE10L0F KOA SMD or Through Hole | TSLTTE10L0F.pdf | |
| 808500-611-A | 808500-611-A JAPAN BGA | 808500-611-A.pdf |