창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TMP275AIDGKR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TMP275 | |
PCN 설계/사양 | Datasheet Chg 16/Dec/2015 | |
제조업체 제품 페이지 | TMP275AIDGKR Specifications | |
종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
제품군 | 온도 센서 - 아날로그 및 디지털 출력 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
센서 유형 | 디지털, 로컬 | |
감지 온도 - 국부 | -40°C ~ 125°C | |
감지 온도 - 원격 | - | |
출력 유형 | SMBus | |
전압 - 공급 | 2.7 V ~ 5.5 V | |
분해능 | 11 b | |
특징 | 원샷, 출력 스위치, 로그래밍 가능 분해능, 차단 모드, 대기 모드 | |
정확도 - 최고(최저) | ±0.5°C(±1.5°C) | |
테스트 조건 | -20°C ~ 100°C(25°C ~ 100°C) | |
작동 온도 | -55°C ~ 127°C | |
패키지/케이스 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-VSSOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-38571-2 TMP275AIDGKR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TMP275AIDGKR | |
관련 링크 | TMP275A, TMP275AIDGKR 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
DHS4E4F941KL2B | 940pF 30000V(30kV) 세라믹 커패시터 N4700 디스크, 금속 피팅 - 스레딩 1.496" Dia x 1.161" L(38.00mm x 29.50mm) | DHS4E4F941KL2B.pdf | ||
402F54012IJT | 54MHz ±10ppm 수정 9pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F54012IJT.pdf | ||
MBR7545R | DIODE SCHOTTKY REV 45V DO5 | MBR7545R.pdf | ||
MMRF1304GNR1 | FET RF 133V 512MHZ TO270-2 | MMRF1304GNR1.pdf | ||
104-6.8UH | 104-6.8UH LY SMD | 104-6.8UH.pdf | ||
475 16V A | 475 16V A avetron SMD or Through Hole | 475 16V A.pdf | ||
2SC3225(F,M) | 2SC3225(F,M) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SC3225(F,M).pdf | ||
AN1010 | AN1010 DATEL DIP | AN1010.pdf | ||
DFHS30FS635 | DFHS30FS635 FOXCONN SMD or Through Hole | DFHS30FS635.pdf | ||
HD6435328F10W | HD6435328F10W HITACHI QFP | HD6435328F10W.pdf | ||
G40-2 | G40-2 ORN SMD or Through Hole | G40-2.pdf | ||
ELL6RH680M | ELL6RH680M PANASONIC SMD or Through Hole | ELL6RH680M.pdf |