창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TMK212BJ226K | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TMK212BJ226K | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TMK212BJ226K | |
| 관련 링크 | TMK212B, TMK212BJ226K 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | T86D107M010ESSS | 100µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 600 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86D107M010ESSS.pdf | |
![]() | ASEMB-18.432MHZ-LY-T | 18.432MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASEMB-18.432MHZ-LY-T.pdf | |
![]() | 625L3C003M68640 | 3.6864MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 15mA Enable/Disable | 625L3C003M68640.pdf | |
![]() | IPD082N10N3GATMA1 | MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 | IPD082N10N3GATMA1.pdf | |
![]() | MBB02070C5233DC100 | RES 523K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C5233DC100.pdf | |
![]() | MAX2206EBS+ | MAX2206EBS+ MAXIM REEL | MAX2206EBS+.pdf | |
![]() | LM1117-2.5(Sn) | LM1117-2.5(Sn) ORIGINAL SOT-223 | LM1117-2.5(Sn).pdf | |
![]() | S22BA9404LRE310 | S22BA9404LRE310 ST DIP | S22BA9404LRE310.pdf | |
![]() | CDALA10M7GA018-B0 | CDALA10M7GA018-B0 MURATA SMD | CDALA10M7GA018-B0.pdf | |
![]() | EP11FPD1APE | EP11FPD1APE C&K SMD or Through Hole | EP11FPD1APE.pdf | |
![]() | A453LE | A453LE Powerex Module | A453LE.pdf | |
![]() | K4S561632E-TC75/UC75 256M | K4S561632E-TC75/UC75 256M Samsung TSOP | K4S561632E-TC75/UC75 256M.pdf |