창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TLV341IDBVTG4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TLV341IDBVTG4 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT23-6 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TLV341IDBVTG4 | |
| 관련 링크 | TLV341I, TLV341IDBVTG4 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 200VXR1000MEFCSN30X40 | 1000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 7000 Hrs @ 105°C | 200VXR1000MEFCSN30X40.pdf | |
![]() | 35606300439 | FUSE 440V TL CERAMIC .630A | 35606300439.pdf | |
![]() | 445A31C30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 16pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A31C30M00000.pdf | |
![]() | SIT1602AI-23-18E-25.000000E | OSC XO 1.8V 25MHZ OE | SIT1602AI-23-18E-25.000000E.pdf | |
| 1N485A | DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7 | 1N485A.pdf | ||
![]() | T27-A350XF1 350V | T27-A350XF1 350V EPCOS SMD or Through Hole | T27-A350XF1 350V.pdf | |
![]() | HHM2245SA3 | HHM2245SA3 TDK SMD or Through Hole | HHM2245SA3.pdf | |
![]() | RI23112P | RI23112P Rockwell SMD or Through Hole | RI23112P.pdf | |
![]() | 20817-328 | 20817-328 ORIGINAL SMD or Through Hole | 20817-328.pdf | |
![]() | UCC2806Q | UCC2806Q TI PLCC | UCC2806Q.pdf | |
![]() | 2SB1413-R | 2SB1413-R ORIGINAL TO-92L | 2SB1413-R.pdf | |
![]() | GPL10A2-338A-C | GPL10A2-338A-C GU SMD or Through Hole | GPL10A2-338A-C.pdf |