창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TLP512(F) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TLP512 Photocouplers/Relays Catalog - | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | * | |
| 채널 개수 | 1 | |
| 전압 - 분리 | 2500Vrms | |
| 전류 전달비(최소) | 15% @ 16mA | |
| 전류 전달비(최대) | - | |
| 턴온/턴오프(통상) | 800ns, 800ns(최대) | |
| 상승/하강 시간(통상) | - | |
| 입력 유형 | DC | |
| 출력 유형 | 트랜지스터 | |
| 전압 - 출력(최대) | 15V | |
| 전류 - 출력/채널 | 8mA | |
| 전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.65V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 25mA | |
| Vce 포화(최대) | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 100°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 6-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 6-DIP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TLP512F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TLP512(F) | |
| 관련 링크 | TLP51, TLP512(F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | DPFF6S68J-F | 0.068µF Film Capacitor 200V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.299" L x 0.650" W (33.00mm x 16.50mm) | DPFF6S68J-F.pdf | |
![]() | RNCF0402BKE49K9 | RES SMD 49.9KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RNCF0402BKE49K9.pdf | |
![]() | CRCW08053R09FNEA | RES SMD 3.09 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08053R09FNEA.pdf | |
![]() | HVR3700006803JR500 | RES 680K OHM 1/2W 5% AXIAL | HVR3700006803JR500.pdf | |
![]() | MMA-50BL 1% 0E00 | MMA-50BL 1% 0E00 VISHAY SMD or Through Hole | MMA-50BL 1% 0E00.pdf | |
![]() | LFD31993MDP1A032 | LFD31993MDP1A032 MURATA SMD | LFD31993MDP1A032.pdf | |
![]() | 532257-8 | 532257-8 F TO-3P | 532257-8.pdf | |
![]() | NAND02GR3B2DN6E-N | NAND02GR3B2DN6E-N MICRON SMD or Through Hole | NAND02GR3B2DN6E-N.pdf | |
![]() | SAB80C166W-M | SAB80C166W-M infineon QFP | SAB80C166W-M.pdf | |
![]() | LMK107BJ475KA- | LMK107BJ475KA- TAIYO SMD or Through Hole | LMK107BJ475KA-.pdf | |
![]() | RD20ESB | RD20ESB ORIGINAL DO-34 | RD20ESB.pdf | |
![]() | IF2405LD-1W | IF2405LD-1W MICRODC SIP | IF2405LD-1W.pdf |