창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TLP191B(TPR,U,C,F) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TLP191B Photocouplers/Relays Catalog - | |
| 카탈로그 페이지 | 2764 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 채널 개수 | 1 | |
| 전압 - 분리 | 2500Vrms | |
| 전류 전달비(최소) | - | |
| 전류 전달비(최대) | - | |
| 턴온/턴오프(통상) | 200µs, 3ms | |
| 상승/하강 시간(통상) | - | |
| 입력 유형 | DC | |
| 출력 유형 | 광전도 | |
| 전압 - 출력(최대) | 8V | |
| 전류 - 출력/채널 | 24µA | |
| 전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.4V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 50mA | |
| Vce 포화(최대) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 80°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD(4 Lead), 걸윙 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-MFSOP, 4리드(Lead) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TLP191BFTR TLP191BTPRUCF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TLP191B(TPR,U,C,F) | |
| 관련 링크 | TLP191B(TP, TLP191B(TPR,U,C,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | C3216X7R1H105M160AE | 1µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216X7R1H105M160AE.pdf | |
![]() | CRCW0603130RJNEAHP | RES SMD 130 OHM 5% 1/4W 0603 | CRCW0603130RJNEAHP.pdf | |
![]() | 1851-00 | 1851-00 LT CDIP8 | 1851-00.pdf | |
![]() | LVC-C30SFYGTP | LVC-C30SFYGTP OK SMD or Through Hole | LVC-C30SFYGTP.pdf | |
![]() | 0430450818+ | 0430450818+ ORIGINAL SMD or Through Hole | 0430450818+.pdf | |
![]() | SST39VF10-70-4C-WH | SST39VF10-70-4C-WH SST TSSOP-32 | SST39VF10-70-4C-WH.pdf | |
![]() | TS3V556I | TS3V556I ST SO-14 | TS3V556I.pdf | |
![]() | 41228WP | 41228WP ST SOP8 | 41228WP.pdf | |
![]() | BSS84U | BSS84U DIODES SOT-363 | BSS84U.pdf | |
![]() | 3SK252 | 3SK252 NEC SMD or Through Hole | 3SK252.pdf | |
![]() | GL1400 | GL1400 HITACHI DIP40 | GL1400.pdf | |
![]() | 4*110*0.5 | 4*110*0.5 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4*110*0.5.pdf |