Toshiba Semiconductor and Storage TK9J90E,S1E

TK9J90E,S1E
제조업체 부품 번호
TK9J90E,S1E
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
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TK9J90E,S1E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TK9J90E,S1E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TK9J90E
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)900V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.3옴 @ 4.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 900µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs46nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2000pF @ 25V
전력 - 최대250W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급 장치 패키지TO-3P(N)
표준 포장 150
다른 이름TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)TK9J90E,S1E
관련 링크TK9J90, TK9J90E,S1E 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
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