창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK8S06K3L(T6L1,NQ) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK8S06K3L | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 54m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 25W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK+ | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | TK8S06K3L(T6L1NQ) TK8S06K3LT6L1NQ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK8S06K3L(T6L1,NQ) | |
관련 링크 | TK8S06K3L(, TK8S06K3L(T6L1,NQ) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | CPL15R1000JB31 | RES 0.1 OHM 15W 5% AXIAL | CPL15R1000JB31.pdf | |
![]() | 9532/7442PC | 9532/7442PC F CDIP | 9532/7442PC.pdf | |
![]() | 151-201-RC | 151-201-RC KOBICONN SMD or Through Hole | 151-201-RC.pdf | |
![]() | IN5252 | IN5252 ON DO-35 | IN5252.pdf | |
![]() | 2SC5177-T1B | 2SC5177-T1B ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SC5177-T1B.pdf | |
![]() | HL2-H-DC12V | HL2-H-DC12V ORIGINAL SMD or Through Hole | HL2-H-DC12V.pdf | |
![]() | ADSP-1010ATD/883B | ADSP-1010ATD/883B AD DIP | ADSP-1010ATD/883B.pdf | |
![]() | 29LV800TTC-90G | 29LV800TTC-90G MX TSOP | 29LV800TTC-90G.pdf | |
![]() | TDA332T16 | TDA332T16 PHILIPS DIP | TDA332T16.pdf | |
![]() | 4MS5330M8X5 | 4MS5330M8X5 RUBYCON SMD or Through Hole | 4MS5330M8X5.pdf | |
![]() | LT1176IN8 | LT1176IN8 LT SIP-8 | LT1176IN8.pdf | |
![]() | MKT1826-410/01/5W | MKT1826-410/01/5W ROE SMD or Through Hole | MKT1826-410/01/5W.pdf |