창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK80S04K3L(T6L1,NQ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK80S04K3L | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.1m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 87nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4340pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK+ | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | TK80S04K3L(T6L1NQ TK80S04K3LT6L1NQ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK80S04K3L(T6L1,NQ | |
관련 링크 | TK80S04K3L, TK80S04K3L(T6L1,NQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
FK18X5R1E334K | 0.33µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FK18X5R1E334K.pdf | ||
![]() | RT2010DKE0727RL | RES SMD 27 OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE0727RL.pdf | |
![]() | TCH35P2R20JE | RES 2.2 OHM 35W 5% TO220 | TCH35P2R20JE.pdf | |
![]() | ELCM-2 | ELCM-2 ORIGINAL SMD or Through Hole | ELCM-2.pdf | |
![]() | TIT044AS | TIT044AS ORIGINAL SOP | TIT044AS.pdf | |
![]() | SCC66470AAB | SCC66470AAB PHI QFP-L120P | SCC66470AAB.pdf | |
![]() | SN54HCT74J | SN54HCT74J TI DIP | SN54HCT74J.pdf | |
![]() | CY74FCT157ATQC | CY74FCT157ATQC CY SSOP16 | CY74FCT157ATQC.pdf | |
![]() | JJM2W-12V(JJM2W12J) | JJM2W-12V(JJM2W12J) ORIGINAL SMD or Through Hole | JJM2W-12V(JJM2W12J).pdf | |
![]() | C0603COG1E150JT00NH | C0603COG1E150JT00NH TDK SMD or Through Hole | C0603COG1E150JT00NH.pdf | |
![]() | RC0402FR-0711R | RC0402FR-0711R PHYCOM SMD or Through Hole | RC0402FR-0711R.pdf | |
![]() | CR32A51R1FT | CR32A51R1FT RGA SMD or Through Hole | CR32A51R1FT.pdf |