창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK7P60W,RVQ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK7P60W | |
주요제품 | DTMOSIV Superjunction MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 350µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 490pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | TK7P60WRVQ TK7P60WRVQTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK7P60W,RVQ | |
관련 링크 | TK7P60, TK7P60W,RVQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
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![]() | VJ0603D1R8BXBAC | 1.8pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R8BXBAC.pdf | |
![]() | C1206C273J5GACTU | 0.027µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C273J5GACTU.pdf | |
![]() | RL1218-123-R | 12mH Unshielded Wirewound Inductor 201mA 14.1 Ohm Max Radial | RL1218-123-R.pdf | |
![]() | Y09410R01010F0L | RES 0.0101 OHM 2W 1% RADIAL | Y09410R01010F0L.pdf | |
![]() | 42HFR160M | 42HFR160M IR DO-5 | 42HFR160M.pdf | |
![]() | NRW226M04R8 | NRW226M04R8 NEC SMD | NRW226M04R8.pdf | |
![]() | PA7587 | PA7587 PHOENIX SMD or Through Hole | PA7587.pdf | |
![]() | GC1C477M08010 | GC1C477M08010 SAMWHA SMD or Through Hole | GC1C477M08010.pdf | |
![]() | C3216X7R1H105KT0Y0N | C3216X7R1H105KT0Y0N TDK NA | C3216X7R1H105KT0Y0N.pdf | |
![]() | 6250ES | 6250ES Infineon SOP8 | 6250ES.pdf | |
![]() | SS-5D1 | SS-5D1 OMRON SMD or Through Hole | SS-5D1.pdf |