창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK7A90E,S4X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK7A90E | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 700µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 150 | |
다른 이름 | TK7A90E,S4X(S TK7A90ES4X | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK7A90E,S4X | |
관련 링크 | TK7A90, TK7A90E,S4X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | DSC1001BI2-026.0000 | 26MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.7 V ~ 3.6 V 6.3mA Enable/Disable | DSC1001BI2-026.0000.pdf | |
![]() | 3220SL180K | 3220SL180K EPCOS SMD or Through Hole | 3220SL180K.pdf | |
![]() | FR9010TR | FR9010TR IR TO252 | FR9010TR.pdf | |
![]() | MN102L35GHA2 | MN102L35GHA2 HITACHI DIP-64 | MN102L35GHA2.pdf | |
![]() | 16.36800MHZ | 16.36800MHZ RAKON//NDK SMD | 16.36800MHZ.pdf | |
![]() | FRC5-C40L53T-0L | FRC5-C40L53T-0L DDK SMD or Through Hole | FRC5-C40L53T-0L.pdf | |
![]() | PALC16R425VC | PALC16R425VC cyp SMD or Through Hole | PALC16R425VC.pdf | |
![]() | RS1J226M0811M | RS1J226M0811M SAMWH DIP | RS1J226M0811M.pdf | |
![]() | CM2677B-NQ | CM2677B-NQ ORIGINAL TQFP | CM2677B-NQ.pdf | |
![]() | IMP708T | IMP708T IMP SO-8 | IMP708T.pdf | |
![]() | EVM1DSX30B25 | EVM1DSX30B25 Panasonic SMD or Through Hole | EVM1DSX30B25.pdf |