창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TK7A90E,S4X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK7A90E | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 700µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 150 | |
| 다른 이름 | TK7A90E,S4X(S TK7A90ES4X | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK7A90E,S4X | |
| 관련 링크 | TK7A90, TK7A90E,S4X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | CW0109R090JE123 | RES 9.09 OHM 13W 5% AXIAL | CW0109R090JE123.pdf | |
![]() | SC2001A | SC2001A LSI BGA | SC2001A.pdf | |
![]() | 2SC5801-T3-A | 2SC5801-T3-A NECElec SMD or Through Hole | 2SC5801-T3-A.pdf | |
![]() | C1-55564-2 | C1-55564-2 HARRIS DIP | C1-55564-2.pdf | |
![]() | BZX84C10NEO | BZX84C10NEO ITT SMD or Through Hole | BZX84C10NEO.pdf | |
![]() | M29F002BT-70K6 | M29F002BT-70K6 ST PLCC32 | M29F002BT-70K6.pdf | |
![]() | 5901G | 5901G ORIGINAL CALL | 5901G.pdf | |
![]() | GRM36C0G8R2C50 | GRM36C0G8R2C50 MURATA SMD or Through Hole | GRM36C0G8R2C50.pdf | |
![]() | SM5112 | SM5112 SMI SMD-8 | SM5112.pdf | |
![]() | BZX55B10V ST | BZX55B10V ST ST DO-35 | BZX55B10V ST.pdf | |
![]() | SPX7028 | SPX7028 ORIGINAL DIP6 | SPX7028.pdf | |
![]() | LM140AK-8/883 | LM140AK-8/883 NSC SMD or Through Hole | LM140AK-8/883.pdf |