창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK7A60W,S4VX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK7A60W | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 350µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 490pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 30W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK7A60WS4VX | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK7A60W,S4VX | |
관련 링크 | TK7A60W, TK7A60W,S4VX 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
EET-ED2E271BA | 270µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 553 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C | EET-ED2E271BA.pdf | ||
TDK4343302DH | SCR PHASE CTRL DSC 3300A 3400V | TDK4343302DH.pdf | ||
AOB11S60L | MOSFET N-CH 600V 11A TO263 | AOB11S60L.pdf | ||
CRCW20102R21FKEFHP | RES SMD 2.21 OHM 1% 1W 2010 | CRCW20102R21FKEFHP.pdf | ||
APT60D61B | APT60D61B APT SMD or Through Hole | APT60D61B.pdf | ||
ADS1013IDGSTG4 | ADS1013IDGSTG4 TI MSOP-10 | ADS1013IDGSTG4.pdf | ||
SMP1340-079 0603- | SMP1340-079 0603- SKYWORKS SMD or Through Hole | SMP1340-079 0603-.pdf | ||
MG8038716/B 5962-8953401XA | MG8038716/B 5962-8953401XA INTEL CPGA | MG8038716/B 5962-8953401XA.pdf | ||
GRM21BR71H683K | GRM21BR71H683K ORIGINAL SMD or Through Hole | GRM21BR71H683K.pdf | ||
PIC33FJ32MC202I/ML | PIC33FJ32MC202I/ML PIC QFN44 | PIC33FJ32MC202I/ML.pdf | ||
LRSI805A | LRSI805A SHARP BGA | LRSI805A.pdf |