창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK72A08N1,S4X(S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK72A08N1 | |
카탈로그 페이지 | 1648 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 175nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8200pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | TK72A08N1S4X(S TK72A08N1S4XS TK80A08K3(Q) TK80A08K3(Q,M) TK80A08K3(QM) TK80A08K3(QM)-ND TK80A08K3Q TK80A08K3Q-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK72A08N1,S4X(S | |
관련 링크 | TK72A08N1, TK72A08N1,S4X(S 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | AQ12EM1R7BAJWE | 1.7pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM1R7BAJWE.pdf | |
![]() | P1812R-472K | 4.7µH Unshielded Inductor 650mA 401 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | P1812R-472K.pdf | |
![]() | RT0603DRE0747KL | RES SMD 47K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRE0747KL.pdf | |
![]() | AME881DEEVZ | AME881DEEVZ AME SOT23-5 | AME881DEEVZ.pdf | |
![]() | MV7043_Q | MV7043_Q FAIRCHILD ROHS | MV7043_Q.pdf | |
![]() | SMSC1368T1G | SMSC1368T1G ON SOT-323-3 | SMSC1368T1G.pdf | |
![]() | JTX1N5804US | JTX1N5804US MSC SMD or Through Hole | JTX1N5804US.pdf | |
![]() | TLC0920AIFN | TLC0920AIFN TI PLCC | TLC0920AIFN.pdf | |
![]() | S6396TC8K | S6396TC8K TOSHIBA ZIP | S6396TC8K.pdf | |
![]() | RTM862-411 | RTM862-411 RTM SSOP | RTM862-411.pdf | |
![]() | mdi-1326-10-450 | mdi-1326-10-450 richey SMD or Through Hole | mdi-1326-10-450.pdf |