창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK6Q65W,S1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK6Q65W | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.05옴 @ 2.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 180µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 390pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 스터브 리드(lead), IPak | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | TK6Q65W,S1Q(S TK6Q65WS1Q | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK6Q65W,S1Q | |
관련 링크 | TK6Q65, TK6Q65W,S1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
402F54022ILT | 54MHz ±20ppm 수정 12pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F54022ILT.pdf | ||
ERJ-P6WF43R0V | RES SMD 43 OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-P6WF43R0V.pdf | ||
RN73C2A60R4BTG | RES SMD 60.4 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A60R4BTG.pdf | ||
RW3R5EAR050J | RES SMD 0.05 OHM 5% 3.5W J LEAD | RW3R5EAR050J.pdf | ||
NSCCG348A1 | NSCCG348A1 NS QFP52 | NSCCG348A1.pdf | ||
EMK432BJ225KM-T | EMK432BJ225KM-T TAIYO SMD | EMK432BJ225KM-T.pdf | ||
SP236BET | SP236BET SIPEX SOP24 | SP236BET.pdf | ||
KDE2408PTV3.13.MS.A.GN | KDE2408PTV3.13.MS.A.GN SUN SMD or Through Hole | KDE2408PTV3.13.MS.A.GN.pdf | ||
ST1486 | ST1486 MOT Call | ST1486.pdf | ||
G6J-2FL-Y-5VDC | G6J-2FL-Y-5VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | G6J-2FL-Y-5VDC.pdf | ||
WX503 | WX503 ORIGINAL SMD or Through Hole | WX503.pdf | ||
10H610/BEBJC883 | 10H610/BEBJC883 MOTOROLA CDIP | 10H610/BEBJC883.pdf |