홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » TK6Q60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q60W,S1VQ

TK6Q60W,S1VQ
제조업체 부품 번호
TK6Q60W,S1VQ
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
TK6Q60W,S1VQ 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,806.98667
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 TK6Q60W,S1VQ 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TK6Q60W,S1VQ 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TK6Q60W,S1VQ가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
TK6Q60W,S1VQ 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
TK6Q60W,S1VQ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TK6Q60W,S1VQ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TK6Q60W
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징초접합
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C6.2A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs820m옴 @ 3.1A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.7V @ 310µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs12nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds390pF @ 300V
전력 - 최대60W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 스터브 리드(lead), IPak
공급 장치 패키지I-Pak
표준 포장 75
다른 이름TK6Q60WS1VQ
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)TK6Q60W,S1VQ
관련 링크TK6Q60W, TK6Q60W,S1VQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
TK6Q60W,S1VQ 의 관련 제품
100pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) VJ1210A101JBEAT4X.pdf
56pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D560JXPAJ.pdf
TRANS PNP 60V 0.6A TO92 PN2907A-AP.pdf
RES SMD 6.8K OHM 0.25% 1/4W 1206 AT1206CRD076K8L.pdf
AT25F512AN-10SU-2.7-T ATMEL SOP8 AT25F512AN-10SU-2.7-T.pdf
IS6010XSM ISOCOM SMD or Through Hole IS6010XSM.pdf
B1205XD-1W MICRODC SMD or Through Hole B1205XD-1W.pdf
MHBCR-2011 OKI PLCC44 MHBCR-2011.pdf
STBS012 EIC SMA STBS012.pdf
SCA-16 SIRenza SOT-89 SCA-16.pdf
HCNW2430 Agilent DIP8 HCNW2430.pdf