창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TK6P53D(T6RSS-Q) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK6P53D | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 525V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | TK6P53DT6RSSQ | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK6P53D(T6RSS-Q) | |
| 관련 링크 | TK6P53D(T, TK6P53D(T6RSS-Q) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | PLA10AS1522R0R2B | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2A | PLA10AS1522R0R2B.pdf | |
![]() | ERA-14HD820U | RES SMD 82 OHM 0.5% 1/4W 1210 | ERA-14HD820U.pdf | |
![]() | MCR10ERTJ6R2 | RES SMD 6.2 OHM 5% 1/8W 0805 | MCR10ERTJ6R2.pdf | |
![]() | RT0603DRE0743KL | RES SMD 43K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRE0743KL.pdf | |
![]() | 3124-50 | 3124-50 FSC TO252-5L | 3124-50.pdf | |
![]() | R8A66597BG | R8A66597BG RENESAS BGA | R8A66597BG.pdf | |
![]() | K7S3236T4C-FC40000 | K7S3236T4C-FC40000 SAM BGA | K7S3236T4C-FC40000.pdf | |
![]() | K103M15X7RF5.H5 | K103M15X7RF5.H5 VISHAY DIP | K103M15X7RF5.H5.pdf | |
![]() | FMU05N60G | FMU05N60G FUJI SMD or Through Hole | FMU05N60G.pdf | |
![]() | CD73HC373E | CD73HC373E HAR DIP | CD73HC373E.pdf | |
![]() | SW4746ATR | SW4746ATR VISHAY 1808 | SW4746ATR.pdf | |
![]() | PMB7850EV31FD12 | PMB7850EV31FD12 INF SMD or Through Hole | PMB7850EV31FD12.pdf |