Toshiba Semiconductor and Storage TK6A80E,S4X
- 제조업체 부품 번호
- TK6A80E,S4X
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 800V TO220SIS
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TK6A80E,S4X 가격 및 조달
가능 수량
8612 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 981.37360
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TK6A80E,S4X 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TK6A80E,S4X 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TK6A80E,S4X가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TK6A80E,S4X 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK6A80E,S4X 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK6A80E,S4X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK6A80E | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 600µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 150 | |
| 다른 이름 | TK6A80E,S4X(S TK6A80ES4X | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK6A80E,S4X | |
| 관련 링크 | TK6A80, TK6A80E,S4X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
TK6A80E,S4X 의 관련 제품
 | XPGBWT-L1-0000-00FZ8 | LED Lighting XLamp® XP-G2 White, Warm 2700K 2.8V 350mA 115° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XPGBWT-L1-0000-00FZ8.pdf | |
 | CPF0805B1K2E1 | RES SMD 1.2K OHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B1K2E1.pdf | |
 | P51-200-S-B-I36-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-S-B-I36-4.5V-000-000.pdf | |
| BWR1SS100J | BWR1SS100J KOA SMD or Through Hole | BWR1SS100J.pdf | |
| TEESVP1E105K8R | TEESVP1E105K8R NEC SMD or Through Hole | TEESVP1E105K8R.pdf | |
| EX032A-14.318M | EX032A-14.318M KSS DIP8 | EX032A-14.318M.pdf | |
| AME5258BEVADJZ | AME5258BEVADJZ AME SOT-23-5 | AME5258BEVADJZ.pdf | |
| LPF5017T-6R8M | LPF5017T-6R8M ABCO SMD or Through Hole | LPF5017T-6R8M.pdf | |
| MT28C128532W30DFW- | MT28C128532W30DFW- MICRON FBGA | MT28C128532W30DFW-.pdf | |
| LQH32CN330K03L | LQH32CN330K03L MURATA SMD | LQH32CN330K03L.pdf | |
| HYB393256160DT-7.5 | HYB393256160DT-7.5 INFINEON TSOP | HYB393256160DT-7.5.pdf | |
| SSC525-1702-02 | SSC525-1702-02 SAMSUNG SOP08 | SSC525-1702-02.pdf |