Toshiba Semiconductor and Storage TK6A45DA(STA4,Q,M)
- 제조업체 부품 번호
- TK6A45DA(STA4,Q,M)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 450V 5.5A TO-220SIS
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TK6A45DA(STA4,Q,M) 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,252.32000
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TK6A45DA(STA4,Q,M) 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TK6A45DA(STA4,Q,M) 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TK6A45DA(STA4,Q,M)가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TK6A45DA(STA4,Q,M) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK6A45DA(STA4,Q,M) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK6A45DA(STA4,Q,M) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK6A45DA Datasheet | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 450V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.35옴 @ 2.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK6A45DA(STA4QM) TK6A45DASTA4QM | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK6A45DA(STA4,Q,M) | |
| 관련 링크 | TK6A45DA(S, TK6A45DA(STA4,Q,M) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
TK6A45DA(STA4,Q,M) 의 관련 제품
.jpg) | C0805C104M5UACTU | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 Z5U 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C104M5UACTU.pdf | |
 | CGB2A3JB1A474K033BB | 0.47µF 10V 세라믹 커패시터 JB 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGB2A3JB1A474K033BB.pdf | |
 | IMC1210BN56NK | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 470mA 330 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210BN56NK.pdf | |
 | STK631-170 | STK631-170 ORIGINAL MODULE | STK631-170.pdf | |
| M2130 | M2130 DUMMY TSSOP-32 | M2130.pdf | |
| BCB3623IR-151-Q-N | BCB3623IR-151-Q-N CHILISIN SMD or Through Hole | BCB3623IR-151-Q-N.pdf | |
| 52557-1490 | 52557-1490 MOLEX SMD or Through Hole | 52557-1490.pdf | |
| 01P-CI40.Q | 01P-CI40.Q META SMD or Through Hole | 01P-CI40.Q.pdf | |
| M37221M8-240SP | M37221M8-240SP MIT DIP | M37221M8-240SP.pdf | |
| SN74HCT273ANS | SN74HCT273ANS TI SMD or Through Hole | SN74HCT273ANS.pdf | |
| LT1011ACJG | LT1011ACJG TI CDIP8 | LT1011ACJG.pdf | |
| SSM6N15FU /DP | SSM6N15FU /DP TOSHIBA SOT-363 | SSM6N15FU /DP.pdf |