창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK65A10N1,S4X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK65A10N1 | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 65A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 32.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 81nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5400pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK65A10N1,S4X(S TK65A10N1,S4X-ND TK65A10N1S4X | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK65A10N1,S4X | |
관련 링크 | TK65A10, TK65A10N1,S4X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | V120ZC4PX2855 | VARISTOR 120V 2.5KA DISC 10MM | V120ZC4PX2855.pdf | |
![]() | V150MT2B | VARISTOR 150V 100A SOD83A AXIAL | V150MT2B.pdf | |
![]() | RT0805WRD071K4L | RES SMD 1.4K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRD071K4L.pdf | |
![]() | SAB6457 | SAB6457 ORIGINAL DIP-8 | SAB6457.pdf | |
![]() | 083S1738 | 083S1738 ORIGINAL QFP | 083S1738.pdf | |
![]() | SPHWHTL3D305E6T0H3 | SPHWHTL3D305E6T0H3 SAMSUNGLED SMD or Through Hole | SPHWHTL3D305E6T0H3.pdf | |
![]() | 42368 | 42368 ST ZIP-15 | 42368.pdf | |
![]() | 14AB | 14AB ORIGINAL TSSOP | 14AB.pdf | |
![]() | UWT0J331MCL1GB | UWT0J331MCL1GB nichicon 6.3X7.7 | UWT0J331MCL1GB.pdf | |
![]() | US2AA-13 | US2AA-13 VISHAY DO214AC | US2AA-13.pdf | |
![]() | XCV100FG256C | XCV100FG256C XILINX QFP | XCV100FG256C.pdf | |
![]() | M65850FP#TF0T | M65850FP#TF0T RENESAS SMD or Through Hole | M65850FP#TF0T.pdf |