홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » TK60E08K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage TK60E08K3,S1X(S

TK60E08K3,S1X(S
제조업체 부품 번호
TK60E08K3,S1X(S
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 75V 60A TO-220AB
데이터 시트 다운로드
다운로드
TK60E08K3,S1X(S 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,742.08000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 TK60E08K3,S1X(S 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TK60E08K3,S1X(S 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TK60E08K3,S1X(S가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
TK60E08K3,S1X(S 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
TK60E08K3,S1X(S 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TK60E08K3,S1X(S
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
표준 포장 50
다른 이름TK60E08K3S1X(S
TK60E08K3S1XS
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)75V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C60A
Rds On(최대) @ Id, Vgs9m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs75nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대128W
작동 온도-
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220-3
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)TK60E08K3,S1X(S
관련 링크TK60E08K3, TK60E08K3,S1X(S 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
TK60E08K3,S1X(S 의 관련 제품
5600pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) 2220HC562KAT1A.pdf
PHOTOMOS(MOS FET) RELAY AQV252HA.pdf
LS24 li-sion SMD or Through Hole LS24.pdf
DM54LS153W/883B NS CDIP14 DM54LS153W/883B.pdf
SLG8LP465VTR A2 SILEGO QFN72 SLG8LP465VTR A2.pdf
YDC123-S YAMAHA QFP240 YDC123-S.pdf
CM600DC-24NFM MITSUBISHI SMD or Through Hole CM600DC-24NFM.pdf
12103C106KAT1A AVX 1210 12103C106KAT1A.pdf
XC4003TM PQ100 ORIGINAL SMD or Through Hole XC4003TM PQ100.pdf
TL4949CN TI DIP16 TL4949CN.pdf