창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK5P60W,RVQ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK5P60W | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 900m옴 @ 2.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 380pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | TK5P60W,RVQ(S TK5P60WRVQTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK5P60W,RVQ | |
관련 링크 | TK5P60, TK5P60W,RVQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | VJ1808Y471KBRAT4X | 470pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808Y471KBRAT4X.pdf | |
![]() | GL34JHE3/98 | DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213 | GL34JHE3/98.pdf | |
![]() | CR1/16-330JV-SN | CR1/16-330JV-SN HOKURIKU SMD or Through Hole | CR1/16-330JV-SN.pdf | |
![]() | HYE18L256169BF-7.5 | HYE18L256169BF-7.5 INFINEON BGA | HYE18L256169BF-7.5.pdf | |
![]() | LTC5540 | LTC5540 LT QFN | LTC5540.pdf | |
![]() | MPS-45-5 | MPS-45-5 MEANWELL SMD or Through Hole | MPS-45-5.pdf | |
![]() | N570CH28 | N570CH28 WESTCODE SMD or Through Hole | N570CH28.pdf | |
![]() | W3100. | W3100. Wiznet LQFP64 | W3100..pdf | |
![]() | TS36K | TS36K ST SMD or Through Hole | TS36K.pdf | |
![]() | 06035A100CATN | 06035A100CATN AVX SMD or Through Hole | 06035A100CATN.pdf |