Toshiba Semiconductor and Storage TK58A06N1,S4X
- 제조업체 부품 번호
- TK58A06N1,S4X
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 58A TO-220
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TK58A06N1,S4X 가격 및 조달
가능 수량
8658 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 631.00480
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TK58A06N1,S4X 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TK58A06N1,S4X 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TK58A06N1,S4X가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TK58A06N1,S4X 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK58A06N1,S4X 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK58A06N1,S4X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK58A06N1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 58A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.4m옴 @ 29A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 500µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3400pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK58A06N1,S4X(S TK58A06N1,S4X-ND TK58A06N1S4X | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK58A06N1,S4X | |
| 관련 링크 | TK58A06, TK58A06N1,S4X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
TK58A06N1,S4X 의 관련 제품
.jpg) | GQM22M5C2H6R0DB01L | 6pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.80mm x 2.80mm) | GQM22M5C2H6R0DB01L.pdf | |
 | GL270F35IET | 27MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL270F35IET.pdf | |
 | 416F27023IKR | 27MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27023IKR.pdf | |
.jpg) | RT0603DRD07750RL | RES SMD 750 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD07750RL.pdf | |
| S1057281F21V | S1057281F21V ORIGINAL SMD20 | S1057281F21V.pdf | |
| SPX3189M5-3.3 | SPX3189M5-3.3 spx sot-23 | SPX3189M5-3.3.pdf | |
| IPI05N03LB | IPI05N03LB Infineon TO-262 | IPI05N03LB.pdf | |
| MT111822.8S | MT111822.8S NA SMD or Through Hole | MT111822.8S.pdf | |
| 01C18PH | 01C18PH PHILIPS DO-214AC | 01C18PH.pdf | |
| HAJ3F | HAJ3F rflabs SMD or Through Hole | HAJ3F.pdf | |
| VSC8538-XHJ | VSC8538-XHJ VITESSE BGA | VSC8538-XHJ.pdf |