창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK56A12N1,S4X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK56A12N1 | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 28A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4200pF @ 60V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK56A12N1,S4X(S TK56A12N1,S4X-ND TK56A12N1S4X | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK56A12N1,S4X | |
관련 링크 | TK56A12, TK56A12N1,S4X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | A180J15C0GF5UAA | 18pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) | A180J15C0GF5UAA.pdf | |
![]() | S6010LS3 | SCR SENS 600V 10A ISO TO-220 | S6010LS3.pdf | |
![]() | RT1206DRE071K78L | RES SMD 1.78K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE071K78L.pdf | |
![]() | CMF60100R00FKEB64 | RES 100 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60100R00FKEB64.pdf | |
![]() | PC16552DA | PC16552DA ORIGINAL PLCC44 | PC16552DA.pdf | |
![]() | QMV873BHS | QMV873BHS QMV SMD | QMV873BHS.pdf | |
![]() | f40.61.9.024.00 | f40.61.9.024.00 fin SMD or Through Hole | f40.61.9.024.00.pdf | |
![]() | DS1982-F5W+ | DS1982-F5W+ MAX CAN | DS1982-F5W+.pdf | |
![]() | MAX954EPA | MAX954EPA MAXIM DIP8 | MAX954EPA.pdf | |
![]() | 7CD201/LEA | 7CD201/LEA ST QFP64 | 7CD201/LEA.pdf | |
![]() | C0603C393K4RAC7867 | C0603C393K4RAC7867 ORIGINAL SMD or Through Hole | C0603C393K4RAC7867.pdf |