홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » TK50E08K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage TK50E08K3,S1X(S

TK50E08K3,S1X(S
제조업체 부품 번호
TK50E08K3,S1X(S
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 75V 50A TO-220AB
데이터 시트 다운로드
다운로드
TK50E08K3,S1X(S 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,629.40000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 TK50E08K3,S1X(S 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TK50E08K3,S1X(S 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TK50E08K3,S1X(S가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
TK50E08K3,S1X(S 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
TK50E08K3,S1X(S 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TK50E08K3,S1X(S
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서Mosfets Prod Guide
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)75V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C50A
Rds On(최대) @ Id, Vgs12m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs55nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대104W
작동 온도-
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220-3
표준 포장 50
다른 이름TK50E08K3S1X(S
TK50E08K3S1XS
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)TK50E08K3,S1X(S
관련 링크TK50E08K3, TK50E08K3,S1X(S 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
TK50E08K3,S1X(S 의 관련 제품
RES SMD 1.87KOHM 0.1% 1/16W 0402 RT0402BRD071K87L.pdf
RES SMD 2.43 OHM 1% 1W 2512 CRCW25122R43FNEH.pdf
RES SMD 78.7 OHM 0.1% 1/16W 0402 TNPW040278R7BEED.pdf
0603N100J500NT SYNTON SMD or Through Hole 0603N100J500NT.pdf
CD74HC573N TI DIP CD74HC573N.pdf
P080PH02 WESTCODE STUD MODULE P080PH02.pdf
194D476X0016C2T VISHAY SMD or Through Hole 194D476X0016C2T.pdf
EPF6016QC208-3U ALTERA QFP208 EPF6016QC208-3U.pdf
194D226X5025H2 Vishay SMD 194D226X5025H2.pdf
DG419LDQ-T1-E3 VISHAYSILICONIX MSOP DG419LDQ-T1-E3.pdf
VSC8210RX VSC QFP VSC8210RX.pdf