창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TK50E08K3,S1X(S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Mosfets Prod Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 104W | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK50E08K3S1X(S TK50E08K3S1XS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK50E08K3,S1X(S | |
| 관련 링크 | TK50E08K3, TK50E08K3,S1X(S 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | T491C476K016AS | T491C476K016AS KEMET SMD or Through Hole | T491C476K016AS.pdf | |
![]() | OZ-SS-124L | OZ-SS-124L OEG DIP | OZ-SS-124L.pdf | |
![]() | SMD1812P260TFT 8V 2.6A | SMD1812P260TFT 8V 2.6A PTTC 1812 | SMD1812P260TFT 8V 2.6A.pdf | |
![]() | ISR154-400 TE-25 | ISR154-400 TE-25 ROHM SMD or Through Hole | ISR154-400 TE-25.pdf | |
![]() | SN809S | SN809S SN SOT23 | SN809S.pdf | |
![]() | FPI0504-1R4M | FPI0504-1R4M ORIGINAL SMD or Through Hole | FPI0504-1R4M.pdf | |
![]() | D5SBA60/7000 | D5SBA60/7000 ORIGINAL 5S | D5SBA60/7000.pdf | |
![]() | GRM31MR60J475KC11B | GRM31MR60J475KC11B MURATA SMD or Through Hole | GRM31MR60J475KC11B.pdf | |
![]() | PTH7M4R7MD3-00 | PTH7M4R7MD3-00 MURATA SMD or Through Hole | PTH7M4R7MD3-00.pdf | |
![]() | HCPL-788J#500 | HCPL-788J#500 SOP- SMD or Through Hole | HCPL-788J#500.pdf | |
![]() | 30R600F | 30R600F LIT DIP | 30R600F.pdf | |
![]() | LQH43MN471J04M00 | LQH43MN471J04M00 MURATA 1812L | LQH43MN471J04M00.pdf |