창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK4P55D(T6RSS-Q) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK4P55D | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 550V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.88옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 80W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | TK4P55DT6RSSQ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK4P55D(T6RSS-Q) | |
관련 링크 | TK4P55D(T, TK4P55D(T6RSS-Q) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | VJ1808A391KBLAT4X | 390pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A391KBLAT4X.pdf | |
![]() | B37988N5224M000 | 0.22µF 50V 세라믹 커패시터 Z5U 방사 0.256" L x 0.197" W(6.50mm x 5.00mm) | B37988N5224M000.pdf | |
![]() | 0672.600DRT4P | FUSE GLASS 600MA 250VAC AXIAL | 0672.600DRT4P.pdf | |
![]() | TNPU120660K4BZEN00 | RES SMD 60.4K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPU120660K4BZEN00.pdf | |
![]() | ANAM1100K | ANAM1100K ANAM 42DIP(9TUBE) | ANAM1100K.pdf | |
![]() | ESE24MV1 | ESE24MV1 Panasonic SMD or Through Hole | ESE24MV1.pdf | |
![]() | SDB0001B-3 | SDB0001B-3 SYNCMOS SMD or Through Hole | SDB0001B-3.pdf | |
![]() | P08-050SL-A-G | P08-050SL-A-G ORIGINAL SMD or Through Hole | P08-050SL-A-G.pdf | |
![]() | B45016E1079K556 | B45016E1079K556 EPCOS SMD or Through Hole | B45016E1079K556.pdf | |
![]() | UPD4174G | UPD4174G NEC SOP14 | UPD4174G.pdf | |
![]() | FDN-TG11B | FDN-TG11B FDINA SMD or Through Hole | FDN-TG11B.pdf |