창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK42E12N1,S1X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK42E12N1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 88A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.4m옴 @ 21A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3100pF @ 60V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK42E12N1S1X | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK42E12N1,S1X | |
관련 링크 | TK42E12, TK42E12N1,S1X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | E82D500VNN562MQ35T | CAP ALUM 5600UF 50V RADIAL | E82D500VNN562MQ35T.pdf | |
![]() | RT0603WRB078R66L | RES SMD 8.66OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRB078R66L.pdf | |
![]() | P51-750-S-D-I12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-750-S-D-I12-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | ESRG160ETC331MH09D | ESRG160ETC331MH09D Chemi-con NA | ESRG160ETC331MH09D.pdf | |
![]() | 2SC5227-4-TB-E | 2SC5227-4-TB-E SANYO SOT-23 | 2SC5227-4-TB-E.pdf | |
![]() | 5T8825 | 5T8825 RICOH QFP | 5T8825.pdf | |
![]() | 120644-3 | 120644-3 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 120644-3.pdf | |
![]() | LS16A2-T | LS16A2-T GITIZEN SMD | LS16A2-T.pdf | |
![]() | RJK2555DPA-00-J0 | RJK2555DPA-00-J0 RENESAS WPAK | RJK2555DPA-00-J0.pdf | |
![]() | P202CH02 | P202CH02 WESTCODE Module | P202CH02.pdf | |
![]() | BU90ACO-23 | BU90ACO-23 ROHM SMD or Through Hole | BU90ACO-23.pdf |